| 更新(9/4) 以下の論文がacceptされました。 Materials Science in Semiconductor Processing 200 (2025) 110013 (9 pages) [2025] Control of germanium incorporation profile in Cu2Sn1-xGexS3 solar cells using Sn–S vapor-assisted sulfurization https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110013 |
| 更新(8/29) 以下の発表をします。 応用物理学会秋季学術講演会 [8p-P05-6] 大気開放型CVD法により作製したCdZnSバッファ層のフォトルミネッセンス測定 [8p-P05-7] 三源系ファインチャネルミストCVD法によるCu2Sn1-xGexS3薄膜の作製における原料溶液の濃度検討 [8p-P05-8] Photoluminescence observation of Na-doped Cu2Sn1-xGexS3 thin film solar cells [8p-P05-14] シード層・ナノロッドアニール工程検討によるZnO/CuBr1-xIx微細構造透明太陽電池の性能改善 |
| 更新(6/19) 以下の発表をしました。 EM-NANO2025 P3-59 Fabrication and characteristics of transparent position sensitive detector using Al-doped ZnO and Ga-doped SnO2 thin films P3-56 Analysis of Cu2SnS3 thin film solar cells by photoluminescence P1-52 Improvement of solar cell properties for ZnO/CuBr1-xIx microstructural transparent solar cells with seed layer and nanorods annealing process |
| 更新(3/10) 公益財団法人 岩谷直治記念財団 岩谷科学技術研究助成に採択されました。 「三源系ファインチャネルミストCVD 法による環境調和銅硫化物系薄膜太陽電池の作製」 |
| 更新(3/10) 公益財団法人矢崎科学技術振興記念財団 研究助成に採択されました。 「環境調和薄膜太陽電池作製に向けた三元系ファインチャネルミストCVD 法による多元系銅硫化物薄膜堆積法の開発」 |
| 更新(2/13) 以下の論文がacceptされました。 Journal of Solid State Chemistry 345 (2025) 125244. Investigation of intrinsic and extrinsic defects in Na-doped Cu2Sn1-xGexS3 thin films by photoluminescence. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2025.125244 |
| 更新(1/29) 以下の論文がacceptされました。 Japanese Journal of Applied Physics 64 (2025) 015502 (7 pages). Deposition of single-phase monoclinic Cu2SnS3 thin films on Mo-coated substrates by dual-source fine-channel mist CVD https://doi.org/10.35848/1347-4065/ada709 |
| 更新(1/29) 以下の発表をします。 第72回応用物理学会春季学術講演会 16p-P15-6 フォトルミネッセンス観測によるCu2SnS3薄膜太陽電池の解析 |