光エネルギー研究室 本文へジャンプ
最新情報 イメージ


更新日(10/26)
以下の論文がacceptされました。
PHASE TRANSITIONS
Terahertz absorption properties of YBa2Cu3O7−δ superconductor:
thin films grown using a nontoxic, simple spin-coating method

https://doi.org/10.1080/01411594.2021.1985118
page, vol. はまだ未定
更新日(10/12)
第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウムで以下の発表を行います。
D-8 硫黄源を用いた二源系ミスト CVD 法による Cu2SnS3薄膜の作製と評 
更新日(8/19)
以下の研究助成に採択されました
(1) 公益財団法人 内田エネルギー科学振興財団試験研究費助成
  「二系統ミストCVD法による銅硫化物薄膜作製法の確立」
(2) 村田学術振興財団研究助成
  「元素戦略を考慮した太陽電池実現のための分光学的手法による欠陥の検討」
(3) 佐々木環境技術振興財団試験研究費助成
  「透明微細構造透明太陽電池実現のためのハロゲン組成比制御法の検討」
更新日(8/19)
応用物理学会秋季学術講演会で以下の発表を行います.
[23a-P12-1] 二源系ファインチャネルミストCVD法によるCu2SnS3薄膜の作製
更新日(5/19)
EM-NANO 2021で以下の発表をします.
[P1-26] Deposition of Cu-Sn precursors on Mo-coated substrates by fine channel mist CVD method to prepare Cu2SnS3 thin films
[P1-27] Investigation of Cu/IV ratio dependence of CuxSn1-yGeyS3 by photoluminescence observation
[P1-28] Preparation of CuBr1-xIx /buffer layer/ ZnO nanorods transparent solar cell
[P2-31] Photoluminescence from Cu2SnS3 thin films depend on sulfurization temperature
更新日(2/15)
応用物理学会春季学術講演会で以下の発表を行います.
[17p-Z35-6] 真空蒸着法により作製した硫化すず薄膜の電気特性
[17p-Z35-9] ファインチャネルミストCVD 法によるMo コート基板上へのCu-Snプリカーサの堆積とCu2SnS3 薄膜の作製
[17p-Z35-10] フォトルミネッセンス観測によるCuxSn1-yGeyS3のCu/IV族比依存の検討
[17p-Z35-12] CuBr1-xIx/ZnOナノロッド透明太陽電池の作製